“スピンの量子引きこもり现象”を解明笼目格子磁性体を中性子散乱で観察研究成果
&濒诲辩耻辞;スピンの量子引きこもり现象&谤诲辩耻辞;を解明笼目格子磁性体を中性子散乱で観察 |
平成22年 9月10日
大学記者会 御中
文部科学省记者クラブ 御中
文部科学省科学记者会 御中
东京大学物性研究所长
家 泰 弘
东京工业大学広报センター长
大 仓 一 郎
“スピンの量子引きこもり现象”を解明
笼目格子磁性体を中性子散乱で観察
発表概要:
東京工業大学の小野俊雄助教,元東京大学物性研究所のキットウィット?マタン特任研究員(現タイ?マヒドール大学講師),東京理科大学の福元好志准教授らの研究グループは,籠目格子反強磁性体の非磁性状態におけるミクロな構造と励起構造を解明することに成功した。東工大が開発した籠目格子反強磁性体「フッ化ルビジウム銅スズ」(Rb2Cu3SnF12)を中性子散乱によって観察し,電子スピン対のシングレット状態が風車のように配列した構造を持ち,磁気が完全に消える磁性体の新しい基底状態 “スピンの量子引きこもり現象”を確かめた。
笼目格子反强磁性体での强いフラストレーションと量子力学的効果によるスピンの引きこもり现象は理论的に予测されていたが,ミクロの构造についてはさまざまな理论があり,统一见解はなかった。今回は観察によって构造を明らかにしたもので,磁気研究のフロンティアを开くことはもとより,笼目格子反强磁性体を母体とする新奇电子物性の开拓にもつながると期待される。
この成果は12日発行の英国学術誌「ネイチャーフィジックス」(Nature Physics)電子版に掲載される。
※详细はリリース文书をご覧下さい。

